現(xiàn)在人們對(duì)網(wǎng)絡(luò)的速度要求較高，都是奔著更快的方向發(fā)展的，要想通信速度更快，那自然少不了村田硅電容，硅電容能解決當(dāng)下問題。

村田硅電容器主要針對(duì)光通信里的超寬頻需求而設(shè)計(jì)。近年來，光通信速度每年都在變得越來越快，當(dāng)通信速度達(dá)到毫米波寬帶時(shí)，超小型的貼片電容器（MLCC）中的插入損耗會(huì)增加，相比之下，硅電容器具有低插入損耗、高穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)，市場需求迅速擴(kuò)大。

村田的高密度硅電容器通過應(yīng)用半導(dǎo)體的MOS工藝實(shí)現(xiàn)三維化，大幅增加電容器表面積，從而提高了基板單位面積的靜電容量。適用于網(wǎng)絡(luò)相關(guān)（RF功率放大器、寬帶通信）、高可靠性用途、醫(yī)療、汽車、通信等領(lǐng)域。

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